華微電子方面一位負(fù)責(zé)人也對記者談道：“5G、新能源等‘新基建’均涉及功率半導(dǎo)體芯片等基礎(chǔ)元器件，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與‘新基建’息息相關(guān)，是‘新基建’的‘心臟’。半導(dǎo)體芯片作為‘新基建’領(lǐng)域的底層支撐，疊加半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的結(jié)構(gòu)機(jī)遇，本土功率半導(dǎo)體芯片需求將趨于旺盛。”

國聯(lián)安基金量化投資部總經(jīng)理章椹元亦表示，在大力發(fā)展“新基建”的東風(fēng)之下，半導(dǎo)體作為“新基建”中的基礎(chǔ)建材，未來行業(yè)發(fā)展可期。同時(shí)，其認(rèn)為，半導(dǎo)體市場龐大，自給率嚴(yán)重不足，科技強(qiáng)國勢在必行，半導(dǎo)體國產(chǎn)化將加速。

在采訪中，多位業(yè)內(nèi)人士持有上述觀點(diǎn)。其普遍認(rèn)為，在5G和光學(xué)創(chuàng)新等需求帶動(dòng)和中美貿(mào)易摩擦、國產(chǎn)替代進(jìn)程加快等因素作用下，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈將有所收益，進(jìn)口替代進(jìn)程有望加速。

中金公司研究部認(rèn)為，在“新基建”以及進(jìn)口替代推動(dòng)下，預(yù)計(jì)2025年中國通信基站用電源類功率半導(dǎo)體市場將達(dá)到126億元。

市場研究機(jī)構(gòu)HIS Markit預(yù)計(jì)，未來中國功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021年市場規(guī)模有望達(dá)到159億美元，年化增速達(dá)4.8%。

“領(lǐng)頭羊”助推行業(yè)發(fā)展

可以預(yù)見的是，在“新基建”與國產(chǎn)替代的加持下，國內(nèi)半導(dǎo)體以及功率半導(dǎo)體廠商將迎來巨大的發(fā)展機(jī)遇。

據(jù)悉，目前包括華微電子等眾多國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商均已進(jìn)入華為供應(yīng)鏈。而且，作為全球5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的主要參與者，華為、中興針對國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的采購量也與日俱增。

然而，縱觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，中國半導(dǎo)體市場體量更大，增長更快，但國產(chǎn)化率低，且MOSFET、IGBT等中高端芯片高度依賴進(jìn)口，多處于產(chǎn)業(yè)鏈中下游。

我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代需求強(qiáng)烈。根據(jù)國信證券研報(bào)分析，在國產(chǎn)替代方面，國內(nèi)半導(dǎo)體市場有10倍以上的增長空間。

而隨著“新基建”風(fēng)口的到來，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，2020年國產(chǎn)替代將會(huì)成為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主線，除了設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，芯片代工、封裝、測試以及配套設(shè)備和材料等更多環(huán)節(jié)將會(huì)迎來協(xié)同發(fā)展。

華微電子是國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首家上市公司，主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，應(yīng)用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領(lǐng)域。目前公司已形成IGBT、MOSFET、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等為營銷主線的系列產(chǎn)品。在國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)，華微電子擁有專利74項(xiàng)，其中發(fā)明專利18項(xiàng)，其還自主掌握了IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設(shè)計(jì)等核心工業(yè)技術(shù)。

記者在采訪中了解到，作為我國半導(dǎo)體生產(chǎn)龍頭企業(yè)，華微電子當(dāng)前擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年400余萬片，封裝資源為24億只/年，模塊1800萬塊/年。同時(shí)，今年6月，其8英寸生產(chǎn)線將投入使用，未來華微電子將成為替代進(jìn)口的有力競爭者。

華微電子目前正在加大對第三代半導(dǎo)體材料器件產(chǎn)品的布局。近日，吉林省商務(wù)廳發(fā)布《吉林市華微電子股份有限公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目》相關(guān)事項(xiàng)說明，上述半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將斥資102億元建設(shè)。項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年銷售收入61.91億元，利潤20.43億元，投回收期7年(稅后，含建設(shè)期2年)，投資利潤率20%。

吉林省商務(wù)廳資料顯示，該半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園將由華微電子現(xiàn)有廠區(qū)(30萬平方米用地)和高新北區(qū)(80萬平方米用地)組成。其中，現(xiàn)有廠區(qū)主要進(jìn)行4、5、6、8英寸IGBT、MOSFET等芯片生產(chǎn)制造。高新北區(qū)規(guī)劃建設(shè)以下區(qū)塊：產(chǎn)業(yè)園研發(fā)實(shí)驗(yàn)中心、新能源汽車配套模塊生產(chǎn)基地和終端生產(chǎn)基地、建設(shè)年產(chǎn)3GW光伏逆變器項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體材料器件生產(chǎn)基地。

“公司始終將技術(shù)創(chuàng)新作為企業(yè)發(fā)展的根本，在迫切需要實(shí)現(xiàn)核心科技自主可控、核心產(chǎn)品國產(chǎn)化替代的行業(yè)背景下，加速自主研發(fā)。隨著該項(xiàng)目的順利推進(jìn)，將為華微電子在新能源汽車、變頻家電、光伏、軍工等新興領(lǐng)域發(fā)力提供支持，實(shí)現(xiàn)在中高端市場版圖上的進(jìn)一步拓展。”華微電子方面表示。