邁向“芯”的制高點

華微電子召開IGBT產(chǎn)品內(nèi)部發(fā)布會

2010年9月30日，華微電子召開IGBT產(chǎn)品內(nèi)部發(fā)布會。會議重點介紹了公司IGBT產(chǎn)品研發(fā)進程以及取得的階段性成果，標志著公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整工作已經(jīng)邁出堅實步伐，標志著公司在功率半導體器件高端領(lǐng)域的研發(fā)工作再次取得突破性進展。

本次發(fā)布會由公司副總工程師兼MOS產(chǎn)品總監(jiān)李強主持。他首先介紹了IGBT產(chǎn)品在半導體技術(shù)中的價值，IGBT在市場中的應用空間及其對公司未來發(fā)展的帶動作用。IGBT市場容量巨大，市場潛力巨大，應用空間廣闊。它順應了節(jié)能減排潮流，從消費電子到工業(yè)控制，從汽車電子到新能源領(lǐng)域等都能見到IGBT的身影，近年來在終端市場的強勢發(fā)展帶動下，IGBT產(chǎn)品已經(jīng)成為功率器件家族中的新興力量。公司自確立IGBT產(chǎn)品研發(fā)項目以來，技術(shù)人員勇于創(chuàng)新、不懈努力，積累了豐富的自主研發(fā)技術(shù)經(jīng)驗，至目前已取得突破性進展，15A/1200V IGBT產(chǎn)品在三家客戶通過小批量認證，批量供貨后將在一定程度上緩解當前市場供應緊張的局面。

發(fā)布會上，產(chǎn)品工程師系統(tǒng)介紹了有關(guān)IGBT產(chǎn)品的技術(shù)特點以及應用情況等詳細內(nèi)容，來自公司各部門的管理人員、市場營銷業(yè)務人員以及產(chǎn)線技術(shù)人員等分別就IGBT產(chǎn)品的原材料選擇、市場應用情況以及未來研發(fā)方向等提出相關(guān)問題，產(chǎn)品工程師對此進行了細致解答與說明，由此進一步加深了與會人員對IGBT產(chǎn)品的理解與認知。

發(fā)布會即將結(jié)束時，公司趙東軍總經(jīng)理做總結(jié)性發(fā)言。他首先肯定了IGBT研發(fā)團隊為項目取得成功而付出的艱苦努力，并對當前所取得的研發(fā)成果表示祝賀。趙總經(jīng)理結(jié)合當前市場競爭環(huán)境與公司發(fā)展戰(zhàn)略要求，號召全體員工以IGBT產(chǎn)品的發(fā)布作為全新工作起點，振奮精神，樹立起勇于爭先的豪氣與勇氣，攻堅破難、開拓創(chuàng)新，圍繞公司“全面改善經(jīng)營質(zhì)量”這一指導思想，突出工作重點，順時而動，全力以赴開創(chuàng)公司經(jīng)營發(fā)展新局面，邁向“芯”的制高點。

IGBT產(chǎn)品的研發(fā)成功是華微電子產(chǎn)品發(fā)展史上的重要里程碑，表明公司已經(jīng)搭建起IGBT產(chǎn)品基礎(chǔ)工藝平臺，并使產(chǎn)品進一步實現(xiàn)系列化研發(fā)成為可能，為我司順利進入軌道交通、工業(yè)控制以及新興能源等領(lǐng)域提供了產(chǎn)品基礎(chǔ)。

公司副總經(jīng)理韓毅、張澤偉、王曉林以及董事會秘書赫榮剛出席本次發(fā)布會。

發(fā)布會現(xiàn)場

公司副總工程師兼MOS產(chǎn)品總監(jiān)李強主持發(fā)布會

（前排右起：總經(jīng)理趙東軍、產(chǎn)品工程師王修中、副總工程師兼MOS產(chǎn)品總監(jiān)李強）

IGBT項目組全體員工與公司趙東軍總經(jīng)理合影